一文了解US6K4TR
规格信息
FET类型:2 个 N 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):110pF @ 10V
功率-最大值:1W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TUMT6
型号:US6K4TR
封装形式Package:TUMT
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS :20V
连续漏极电流ID:1.5A
特性及优势:
低导通内阻,高开关速度
1.8V驱动
2个Nch MOSFETs 集成于TUMT6封装
主要应用:
开关用途