ciss_base_customer：客户
原创
2023-07-13 16:12:10
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编辑-ZIXFH4N100Q参数描述：型号：IXFH4N100QVDSS：1000VVDGR：1000VVGS：±20ID25：4AIDM：16APD：150WTJ，Tstg：-55 to +150℃Weight：6gVGS(th)：5VIGSS：±100 nAIDSS：50uARDS(on)：3ΩCiss：1050pFIS：4AISM：16AVSD：1.5VTrr：250 ns IXF
原创
2023-06-12 16:33:59
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需求：加载Sqoop生成的Avro的Schema文件，实现自动化建表分析step1：代码中构建一个Hive/SparkSQL的连接step2：创建ODS层数据库create database if not exists one_make_ods;step3：创建ODS层全量表:44张表create external table one_make_ods_test.ciss_base_areas
本文同时发表在：[url]http://netsecurity.51cto.com/art/200708/53987.htm[/url]
在上一篇文章《Why CISSP》里，J0ker介绍了为什么要获得CISSP认证和CISSP的职业发展情况。那需要通过怎样的流程才能成为一个CISSP？J0ker打算在从本文开始的3个文章中，从参加CISS
推荐
原创
2007-08-22 13:27:52
2927阅读
2评论
规格信息
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：110pF @ 10V
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2019-07-25 14:49:49
256阅读
编辑-ZIPW60R017C7英飞凌MOS管参数：型号：IPW60R017C7连续漏极电流（ID）：109A功耗（Ptot）：446W贮存温度和工作结温：-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：600V栅极阈值电压V(GS)th：4V零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA栅源漏电流（IGSS）：100nA漏源导通电阻RDS(on)：0.017Ω输入电容（Ciss）：9890pF输出电容（
原创
2022-09-30 14:59:44
220阅读
编辑-Z力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数：型号：LSIC1MO120E0080漏极-源极电压（VDS）：1200V连续漏电流（ID）：25A功耗（PD）：214W工作结温度（TJ）：-55 to +175℃零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA漏极源导通电阻RDS(ON)：80mΩ栅极阈值电压VGS(TH)：2.8V输入电容（CISS）：1700pF二极管正向电压（VSD）：3
原创
2022-11-17 17:26:08
139阅读
编辑-ZASEMI低压MOS管SI2301参数：型号：SI2301漏极-源极电压（VDS）：20V栅源电压（VGS）：8V漏极电流（ID）：2.3A功耗（PD）：1.25W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ二极管正向电压（VSD）：1.2V输入电容（Ciss）：880pF开启上升时间（tr）：10nSSI2301封装体积：封装：SOT-23总
原创
2023-03-14 17:08:24
244阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数：型号：ASE20N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nSASE20N6
原创
2023-02-21 16:59:56
91阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管60R380参数：型号：60R380漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：11A功耗（PD）：65W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω二极管正向电压（VSD）：1.5V输入电容（Ciss）：760pF二极管反向恢复时间（trr）：270nS60R380封装尺寸：封装：TO-
原创
2023-02-23 16:53:46
580阅读
现在是：2022年7月8日16:00:26今天整理一下git的几个基本操作吧，不然每次用都要去百度一下。。。或者习惯于在idea中操作，脱离了idea就不会了。一.首先在gitee上新建一个仓库，然后拿到地址，例如：https://gitee.com/ciss/newProject.git二.从git上拉取项目。稍等会儿你就会发现，本地已经将项目拉取下来了。
原创
2022-07-08 16:39:19
131阅读
CISSP考试概述
CISSP，即Certified Information Systems Security Professional，是国际信息系统安全认证协会(ISC)²提供的一项全球公认的信息安全专业认证。该认证不仅要求申请者具备至少五年的相关工作经验，还必须通过一场涵盖信息安全多个领域的严格考试。因此，很多信息安全专业人士都关心一个问题：CISSP好考么？
考试难度分析
CISS
原创
2024-06-27 13:01:46
536阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管7N60参数：型号：7N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：7A功耗（PD）：125W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω二极管正向电压（VSD）：1.5V输入电容（Ciss）：1460pF二极管反向恢复时间（trr）：648nS7N60封装规格：封装：TO-220总长度
原创
2023-03-06 17:19:01
168阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管10N65参数：型号：10N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：10A功耗（PD）：65W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：1500pF二极管反向恢复时间（trr）：320nS10N65封装规格：封装：TO-220
原创
2023-03-10 17:02:34
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编辑-ZIPW65R080CFDA英飞凌MOS管参数：型号：IPW65R080CFDA连续漏极电流（ID）：137A功耗（Ptot）：391W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th：4V零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA栅源漏电流（IGSS）：100nA漏源导通电阻RDS(on)：0.072Ω输入电容（Ciss
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2022-10-12 16:09:02
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编辑-ZON/安森美FCH041N65F车规级MOS管参数：型号：FCH041N65F连续漏极电流（ID）：76A功耗（Ptot）：595W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th：5V零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA栅源漏电流（IGSS）：±100nA漏源导通电阻RDS(on)：36mΩ输入电容（Ciss）
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2022-10-14 16:11:47
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编辑-ZASEMI低压MOS管AO3401参数：型号：AO3401封装：SOT-23漏极-源极电压（VDS）：30V栅源电压（VGS）：±12V连续漏电流（I）：4.2A脉冲漏极电流（IDM）：30A功耗（PD）：1.4W接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ二极管正向电压（VSD）：0.75V输入电容（Ciss）：954pF二极
原创
2023-02-13 16:43:55
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编辑-ZASEMI高压MOS管ASE65R330参数：型号：ASE65R330漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：12.5A功耗（PD）：30.9W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ二极管正向电压（VSD）：1.1V输入电容（Ciss）：470pF二极管反向恢复时间（trr）：214nSASE65R3
原创
2023-02-24 17:10:10
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编辑-ZASEMI低压MOS管AO3415参数：型号：AO3415漏极-源极电压（VDS）：20V栅源电压（VGS）：8V漏极电流（ID）：4A功耗（PD）：1.4W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ二极管正向电压（VSD）：1.2V输入电容（Ciss）：950pF开启上升时间（tr）：10nSAO3415封装大小：封装：SOT-23总长度：2
原创
2023-03-15 16:42:57
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编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55
to +150℃零栅极电压漏极电流IDSS：1uA栅极阈值电压VGS(th)：5V静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω输入电容Ciss：5800 pF输出电容Coss
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2023-06-13 17:14:46
105阅读
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