ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S
12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
原创
2023-03-11 13:19:46
167阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-03-13 10:21:55
214阅读
16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65
原创
2023-03-13 10:06:13
203阅读
20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65
原创
2023-02-13 11:33:23
342阅读
10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
原创
2023-03-11 10:24:36
185阅读
50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
原创
2024-01-06 10:42:59
156阅读
编辑-ZASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55 to 150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω二极管正向电压（VSD）：1.4V输入电容（Ciss）：3520pF二极管反向恢复时间（trr）：530nS20N65封装规格：封装：TO-2
原创
2023-03-13 16:43:43
435阅读
编辑-Z12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数是：正向电流(Io)为12A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有
原创
2023-03-10 17:03:15
410阅读
编辑-Z20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为
原创
2023-02-15 16:22:35
204阅读
编辑-Z 6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电 ...
转载
2021-10-23 15:40:00
199阅读
2评论
编辑-Z4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗（PD）为50W。4N65的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。4N
原创
2023-03-09 17:11:45
421阅读
编辑-Z16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗（PD）为70W。16N65的电性参数是：正向电流(Io)为16A，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.5V，其中有3条
原创
2023-03-13 16:42:57
222阅读
编辑-Z10N65在TO-220F封装里的栅极阈值电压(VGS)为30V，是一款高速大电流MOS管。10N65的浪涌电流Ifsm为40A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N65的功耗(PD)是65W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.8Ω。10N65的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为650V，反向恢复时间(Trr)为32
原创
2022-05-31 14:23:42
237阅读
