STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（二） - 简书 (jianshu.com)
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基础信号线
配置4字节地址模式
1. 使能 4字节模式
2. 更改 读、写（program）、擦除的命令字
3. 修改查询状态
基础信号线
写状态寄存器、对FLASH编程（写）、擦除时，需要使能写。发出使能写指令后，需要查询该指令是否顺利完成了。
前者是非易失的，后者是易失的，这里派上了用场，我们的方式是修改易失的 Volatile Configuration Register（代码中，MCU每次上电都要做这个操作）：先读出 Volatile Configuration Register 的值，设置 Dummy cycles，之后再写回 Volatile Configuration Register。
目前的单板读写flash都不行了，初步判断通过 修改 Nonvolatile Configuration Register，将命令工作模式修改为 4字节地址生效了，导致原先的命令都不能使用了。或者说将命令改为4字节的后，flash还没有配置成4字节模式，导致所有的读写接口都不能正确响应。
以上是flash侧的信号线。
对于片选S# ，控制器侧的控制描述：
也就是每次操作前，设置控制器的从选寄存器就可以使得 S#为低。
配置4字节地址模式
以 MT25QU01GBBB 为例，说明配置 4字节地址模式时主要修改的几个接口。
1. 使能 4字节模式
有两个命令使能4字节的模式，一个是非易失的，一个为配置后重启丢失的。
在实战过程中，由于boot中的相关驱动代码还是采用3字节地址的形式，因而如果仅仅在版本中通过nonvolatile 配置成4字节的，则会导致重启后boot不能正常访问。
2. 更改 读、写（program）、擦除的命令字
更改封装这些命令的函数，将其命令字修改为4字节模式的。同时，在发送命令时，携带的地址也由3字节修改为4字节。
3. 修改查询状态
在写（program）后，通常需要查询flag status 寄存器的bit 7位，当位1即ready时，则开始进行下一组数据的写入。而这种检查，如果比较整个寄存器，由于此时已经位4 字节地址模式，因而最低一位bit 0位1，就导致校验不过。故而需要进行修改。
