上个月Intel发布了基于PCI-Express的新款SSD 910系列,可以说这一款产品和Fusion在性能上可以一比高下,都可以达到1.5GB/s的持续数据吞吐量。Intel新推出的SSD和Fusion IO产品有什么不同之处呢?我对此简单做了一些对比。

可以说Intel的强项在于半导体这一块,Nand Flash是Intel自己设计研发的,所以,Intel对Nand Flash的特性有很高的认识,并且对Nand Flash的可靠性从半导体角度进行了优化,使得Intel Nand Flash在使用寿命上比传统的MLC Nand Flash要高。Fusion IO是做存储系统的公司,采用的是第三方的Nand Flash,因此,只能从更高的软件角度对Flash存在的问题进行优化处理。这一点Intel有天然优势。
 

浅析Fusion-IO和Intel SSD_SSD 

intel SSD

对比Intel和Fusion-IO的SSD卡,我们可以发现,其体系架构一定是不一样的,Intel的思路和LSI等公司研发的SSD卡是一样的。采用的是PCI桥+SAS控制器的硬件架构方式,但是,Fusion-IO没有采用SAS控制器,直接将NAND Flash控制器与PCI总线相连。显然,从IO延迟的角度考虑,FusionIO的这种架构方式是完美解决方案。我估计Intel是考虑到芯片研发的成本,并且手头有现成的PCI桥和SAS控制器,何乐而不为呢?FusionIO的SSD卡采用了Xilinx公司的Vertex FPGA,所有的桥逻辑和控制器采用的是IP 软核的方式。对此,我注意了一下Intel和Fusion-IO SSD的延迟和带宽两个指标,发现两者在带宽上没有什么差别,都能达到1.5GB/s的顺序吞吐量,但是,Fusion-IO具有更小的延迟,其实,这也是显而易见的,硬件体系结构决定了Fusion-IO具有更低的延迟特性。但是,Fusion-IO采用的是FPGA+IP软核的方式,因此,如果将其ASIC化,还有性能提升的空间。

 

浅析Fusion-IO和Intel SSD_SSD_02 

Fusion-IO SSD

给我的感觉是,Intel在Nand Flash上的基础研究做得比较好,尽最大可能从半导体角度提高Nand Flash的使用寿命;Fusion-IO在存储算法、数据分布上应该有独到之处,在更高的软件层将SSD内存化。如果将两家公司的技术集成,不知道是一款什么样的产品?