内存超频以及兼容性

玩了这么久的超频我想也差不多了,也该是时候退出的时候了,在退出之际就把我一些在超频方面内存的经验写出来与大家一起分享。写的不好请大家见谅。
下面我们来说说内存对超频方面的影响,内存性能的优劣对于超频爱好者来说是非常重要的。因为在超频过程中CPU外频和内存运行频率有着直接的联系,内存的好坏直接影响超频的成绩。我们首先从内存的制定标准开始说起,目前市场上销售的内存都是由电子元件工业联合会(JEDEC)所制定的标准,但消费者可以发现市场上上架的内存质量参差不齐有好有坏。其中有的厂商严格按照标准的JEDEC规范进行生产制造,有的厂商虽然也按照JEDEC的规范制造但却在制造过程中偷工减料,采用劣质的PCB板或不合格的内存颗粒,这种内存也就是我们常说到“寨条”。还有个别具有相当实力的厂商虽然没有按照标准的JEDEC 规范进行生产制造,但依靠自身强大的研发实力在标准规范上进行改良,设计、生产出了优秀的超频内存。
  那么应该怎么选择具有强大超频潜质的内存呢?内存超频能力的强弱和内存颗粒、内存PCB板有着直接的联系,如果按照比例划分,那么内存颗粒对超频能力的影响大约要占70%-80%左右。目前主要的内存颗粒生产厂商有现代(Hynix)、三星(Samsung)、镁光(Micron)、英飞凌(Infineon)、尔必达(Elpida)、华邦(Winbond)等。

                                                   

                                    DDR篇


Hynix常见的就是 D43和D5颗粒,D43颗粒常出现在DDR400内存上,这种颗粒在超频方面的表现较为一般,超频能力的高低具有一定的运气成份,部分生产周期的颗粒表现不错有的却表现平平,但这种颗粒的内存有个最大的优点就是价格较为便宜。D5颗粒主要出现在高频内存上,像Hynix的DDR500内存就是采用了这种颗粒,这种颗粒虽然能上高频但在高频下的参数相当平常,内存售价也略高于D43颗粒内存。
Samsnug所生产的具有强大超频能力的颗粒无疑就是TCCD、TCC5以及后期上市的UCCC。TCCD这种颗粒的特点就是对电压很不敏感,在低电压下有着惊人的表现,在高频下能保持强悍的内存参数。唯一的缺点就是没有大容量的型号,单根内存最高容量仅为512M,内存价格非常昂贵。后期也不知道是什么原因造成TCCD停产,但TCCD停产后TCC5颗粒立即接替TCCD的位置,这种颗粒的表现和TCCD极为相似,唯一不同的是 TCC5对电压的敏感程度要比TCCD好,在使用过程中增加一定的电压后内存的表现会有所提升,这种颗粒的内存价格要低于TCCD颗粒的内存.但TCC5也没有在市场上停留多久即被UCCC颗粒所替代,UCCC颗粒内存价格较为便宜,大多数UCCC颗粒内存超频能力也较为出众。最关键的是UCCC有大容量的版本(单根1G容量),彻底摆脱了在超频同时内存容量较低的弊病。

  Micr 原厂内存或旗下零售品牌Crucial所采用。很遗憾的是真正的Micr Crucial在销售,但在国内市场也没有看到相应的代理商。特别是Crucial ballistix系列超频能力相当出色,在高频下可以保持强悍的内存参数,但就是价格非常昂贵,大多数超频爱好者也正是因为囊中羞涩而望条兴叹……..
Infine CE5颗粒超频能力还是非常不错,特别是在478平台上的表现也是可圈可点,但后期的Infineon颗粒也不像早期的颗粒那么好超。
Elpida的DDR颗粒较为少见,主要是DDR2颗粒较为普遍,后面会为大家介绍。
最后我们来谈谈华邦(Winbond)颗粒,华邦的颗粒早期常见的就是BH5和BH6,BH5和BH6停产后随之而生的是UTT颗粒。华邦颗粒的共性就是对电压的敏感度较高,虽然现在很难再看到华邦经典的BH5颗粒,但我相信BH5颗粒留给发烧友们深刻的回忆到现在一直无法被抹去,确实BH5在高频下极其强悍的内存参数成为DDR时代内存的效能之王,正是因为在高频下保持极其强悍的内存参数才促使BH5成就为一代经典。这种颗粒的特别之处就在于对内存电压相当的敏感,在高电压下(3.0V-3.2V或者更高)可以保持在250外频或者更高外频下达成2-2-2-5的内存参数。
不过因为主板上设计的问题导致很多主板无法发挥这种颗粒的效能,因为大多数主板所能支持的最高内存电压仅为2.8V-2.9V之间,有的478平台主板虽然能支持到3.3V的电压但因为主板芯片组的原因也是无法全部发挥这种颗粒的全部效能。在939平台上这种情况有所缓解,不过还是因为主板内存电压支持过低也是无法彻底发挥这种颗粒的效能,不过有一种939平台的主板可以完全释放这种颗粒的全部威力,那就是DFI NF4 Lanparty系列。这个系列的主板可以支持最高到4V的内存电压,这种主板可以戏称为BH5、UTT系列颗粒的“御用”主板。
说完内存颗粒后我们再来谈谈内存的PCB板,PCB板的好坏对于超频来说也是比较重要的。设计、用料精良的PCB可以提高超频的成绩或增加内存超频后的稳定性,一般来说内存PCB设计都是按照JEDEC的标准规范来进行,大多数内存厂商基本上按照这个规范来进行设计、制造。但有些内存厂商为了突出自有产品的强大性能却采用另一种方案,那就是采用Brain Power(台湾)公司设计的PCB方案。Brain Power的PCB方案大多数是被高频内存所采用,当降低内存工作时续值,提高内存运行频率时这种PCB设计方案就体现出优势,大大提高了内存超频成功几率。但在采用这种方案的同时也大大增加了内存制造成本,采用这种PCB的内存和JEDEC标准PCB的内存相比,即便是相同的颗粒,售价也会高出同类的产品.
                           DDR2篇

目前市面上销售的DDR2内存,颗粒大多采用Samsung、Hynix、Infineon、Micron、Elpida这几家的内存颗粒。根据超频玩家反馈的情况来看Mircon、Elpida、Infineon这三种颗粒在超频能力方面表现的较为不错,Samsung和Hynix则表现的较为平常。特别是Mircon、Elpida、Infineon颗粒超频能力非常突出。
  Micr D9)颗粒和现在的小D9颗粒,说到FAT D9颗粒不得不让我们想起了Corsair 5400UL——无愧的一代经典,FAT D9颗粒令人吃惊的强大超频能力让我们在这种内存上看到。FAT D9颗粒的优势就在于高工作频率下的强悍参数,大家都知道DDR2内存由于较高的内存延迟性在推广初期一直被冷落,但随着FAT D9的上市这种弊端即被打破,FAT D9凭借自身强大的超频能力和对内存电压的敏感程度立刻被广大的超频玩家所热烈推崇。FAT D9颗粒对内存电压的敏感程度非常高,这种颗粒的表现特性和当年的BH5极为相似,能在高频下可以保持极其强悍的参数。正是因为这种特性导致 Corsair 5400UL成为广大超频爱好者热烈追捧的对象,即便是这种内存停产后还有部分发烧友不惜重金四处寻找。随着Micr D9也逐渐消失,取而代之的就是小D9颗粒,这种颗粒的表现力也极为强眼。在保持强大超频能力的同时依然继承了Micron的传统——对内存电压非常敏感,在2.3V或更高的内存电压下能达成一个令人吃惊的工作频率和参数。正是因为这些特性,Micron颗粒才一直被广大发烧友们所推荐。
  Elpida一个老牌的内存颗粒生产厂商,不知道是什么原因在DDR时代很难看到相关的产品,但在DDR2方面确是表现的不错。不少厂商都采用 Elpida的颗粒,这种颗粒对电压的敏感程度就不如Micron那么强,不过不需要较高的内存电压也能把内存超频到一个不错的频率,但在高频下内存参数就要比Micron略差。
  Infine Elpida颗粒极其相似,都可以在较低的工作电压下工作在较高的内存频率,像Corsair的DDR2-1066内存就采用了Infinron的颗粒。
在DDR2内存PCB板方面,因为DDR2自身的工作频率较高所以对PCB板的电气性能就有着比DDR内存更高的要求,不少厂商都采用Brain Power的设计方案。当然也并不是说内存PCB的方案也一定要采用Brain Power,只要严格按照JEDEC要求进行设计和生产,产品质量还是非常可靠的。
  另外我们再来说说内存的其他方面,内存金手指我相信大家应该不会陌生,内存金手指就是指内存与主板内存插槽的接触点。一般看来这部分似乎不是很关键,大家在购买内存时也不是特别在意,但内存与系统之间的数据交换,以及内存的工作电压必须要通过金手指和内存插槽的接触来完成,所以这部分的工艺也较为重要。那么金手指到底是什么?金手指实际上就是在一层铜皮(也叫覆铜板)只不过是通过某些特殊的工艺再覆上一层黄金,因为黄金不容易被氧化、导通性也较强,相对于纯铜板来说要好很多,但覆金后也会增加制造的成本。金手指的工艺大致有两种标准,化学沉金工艺和电镀金工艺。在目前市面销售的绝大多数内存的金手指都是采取化学沉金工艺,化学沉金的原理是采用含金的特殊化学溶液,通过化学反应的形式将同溶液中离子态的金转化成原子态的金,原子态的金在铜皮表面附着,金原子越积越多,沉积在铜皮表面就形成覆金层,通过这种成金工艺,金层的厚度一般在3-5微米,很多优质内存的可能达到6微米,但因工艺限制,最后金层也不会超过10微米。这层覆金在频繁的拆卸过程中与主板插槽摩擦很容易导致脱落,受损后的金层长期裸露在空气中,特别是在电流和高温的作用下,很容易在空气中被氧化导致氧化层的出现并不断扩展,直接导致电流和数据交换下降,进而引发系统不能稳定、正常的工作。但有的厂商为了保证产品的稳定性和耐用性却采用了电镀金工艺的方式来制造金手指,电镀金工艺是在含金电解液中的正极凝集,只要保证正负极存在,金的积淀就会持续下去,原理上金层厚度可以无限。金层厚度增加,在使用中能有效增加抗摩擦破损、防止氧化层产生,保证金手指与接触部位的良好导通性,从而提高系统持续工作的稳定性。在某些特殊领域的电子元器件接触点还采用两次或者三次电镀金工艺以保证苛刻的使用要求,但电镀金工艺成本相当的高昂,采用这种工艺的产品售价往往价格不菲,像Mircon的原厂高端内存和一些品牌的高端内存大部分都采用了这种工艺
 
 
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